【摘 要】
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超大集成电路的集成度遵循着摩尔定律在飞速提高,COMS器件的特征尺寸已经发展到30纳米以下的范围,传统晶体管器件面临着栅氧化层经时击穿、互连系统的电子迁移、热载流子注入和抗辐射性不强等可靠性问题,因此具备优异电学性能的锗硅纳米线结构引起了学术界和工业界的广泛重视.
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;Institute of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepl
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超大集成电路的集成度遵循着摩尔定律在飞速提高,COMS器件的特征尺寸已经发展到30纳米以下的范围,传统晶体管器件面临着栅氧化层经时击穿、互连系统的电子迁移、热载流子注入和抗辐射性不强等可靠性问题,因此具备优异电学性能的锗硅纳米线结构引起了学术界和工业界的广泛重视.
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