【摘 要】
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SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点,特别是SiC的外延生长,更是人们关注的方向.本文详细描述了我们实验室从EPIGRESS AB
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点,特别是SiC的外延生长,更是人们关注的方向.本文详细描述了我们实验室从EPIGRESS AB公司引进的水平热墙CVD设备,生长外延层的主要工艺,改进的措施.逐步控制和位竞争外延被我们应用到生长稳定的外延层中.最后,生长参数包括气流速率,碳硅比,生长温度和压强对于生长率和厚度,掺杂均匀性的影响被讨论.
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