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在SOI材料的制备技术中,为了减少离子的浪费和提高注入能量,避免采用更大的真空室和高压脉冲调制器,本文提出了直流等离子体浸没式离子注入技术,并对其原理进行探讨.
直流等离子体浸没式离子注入
【摘 要】
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在SOI材料的制备技术中,为了减少离子的浪费和提高注入能量,避免采用更大的真空室和高压脉冲调制器,本文提出了直流等离子体浸没式离子注入技术,并对其原理进行探讨.
【机 构】
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香港城市大学物理及材料科学系 核工业西南物理研究院粒子注入中心
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2001年6期
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