光学邻近效应相关论文
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近......
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电......
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶......
光学邻近效应校正（OPC）是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中，为了寻找合适的掩模补偿图形，必须迭代计算大量的空间稀疏......
本文以部分相干光的衍射理论为基础，分析了掩模结构参量对衍射场分布的影响，讨论了光学邻近效应新生的物理机理，确定了其有效作用范围......
本文基于改善光场分布的考虑，在掩模上添加了适当的散射条和抗散射条，成功地改善了像面的光场分布，达到了光学邻近效应校正的目的。......
论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正是未来光刻技术中的地......
提出了一种新型的与制程窗口紧密相关，被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型，该模型包含制程参数变化的信息。该模型引导......
基于部分相干成像理论，考虑了投影曝光系统成像的非线性滤波特点，分析了投影光刻中的光学邻近效应（ＯＰＥ）产生的机理，模拟了掩模上线条的线宽......
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近......
文章围绕实际工作中遇到的0.13μm Logic产品的良率问题展开。主要通过分析比较相位移掩膜工艺和传统铬膜工艺的优缺点，找出可能导......
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用.针对高深宽比柱状微结构在光刻胶......
在霍普金斯理论的基础上，对方孔的传统掩模、衰减相移以及加入光学邻近效应校正的衰减相移掩模在硅片表面光强分布的计算表明，衰减相......
提出了一种新的优化的基于模型的光学邻近矫正算法，该算法充分考虑了图形内部及图形之间的光学邻近影响，实现了线段切割和移动步长的......
大规模集成电路（ULSI）的高速发展使光刻中曝光线条的特征尺寸日益接近曝光系统的理论分辨极限，光学邻近效应可导致实际光刻版图的较大......
目前整个IC制造工艺中关键尺寸从0.35微米大幅进步到0.18微米之后,已迈向0.13微米,整个技术仍然继续朝着关键尺寸进一步微细化方向......
TN305.7 2002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximity correction for improving pattern qualityin submicr......
大功率半导体发光二极管(LED)作为一种新型固态光源,已被广泛应用于绿色智慧照明、可见光通信等领域。随着LED技术的进一步发展,对......
尽管其它光刻技术在不断快速发展，然而在０．１３μｍ及０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不......
集成电路一直遵循着摩尔定律向前发展,特征尺寸也不断地缩小。目前,对300mm的芯片生产厂商而言,主流技术为90到45nm。在整个集成电......
在过去十年中,随着光刻技术的发展,集成电路设计与工艺已进入纳米时代。而器件特征尺寸的缩小,给集成电路设计与工艺带来新的挑战,......
论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地......
