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会议论文
带栅极结构硅纳米线场发射阵列的研究
带栅极结构硅纳米线场发射阵列的研究
来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cscbob
【摘 要】
:
本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的
【作 者】
:
佘峻聪
姚日晖
陈军
邓少芝
许宁生
【机 构】
:
光电材料与技术国家重点实验室,显示材料与技术广东省重点实验室,中山大学,广州,510275
【出 处】
:
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
:
2005年期
【关键词】
:
极结构
单晶硅纳米线
场发射阵列
开启电压
各向异性刻蚀
场致电子发射
等离子体
测试结果
自组装
掩模
技术
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本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的开启电压,其开启电压为25V.
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