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本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的开启电压,其开启电压为25V.
带栅极结构硅纳米线场发射阵列的研究
【摘 要】
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本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的
【机 构】
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光电材料与技术国家重点实验室,显示材料与技术广东省重点实验室,中山大学,广州,510275
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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