薄膜厚度与生长温度对C面蓝宝石衬底上外延生长的SnO2薄膜结构及光学性能的影响

来源 :第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：JackCF1

【摘要】

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SnO2是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,与目前应用较多的宽禁带半导体GaN、ZnO相比具有更好的化学稳定性、更宽的带隙(3.6eV)等特性.近年来这些特性使得SnO2作为制备短

【作者】

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张迷;郑丽兰;黎明锴;何云赋;

【机构】

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有机化工新材料湖北省协同创新中心,功能材料绿色制备与应用省部共建教育部重点实验室,湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉,430062

【出处】

：

第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

【发表日期】

：

2015年期

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SnO2是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,与目前应用较多的宽禁带半导体GaN、ZnO相比具有更好的化学稳定性、更宽的带隙(3.6eV)等特性.近年来这些特性使得SnO2作为制备短波长发光器件的理想材料而倍受关注.然而目前SnO2的应用与研究多集中在多晶或者非晶薄膜的光电性能方面,而对SnO2外延薄膜的微观结构及光电性能的研究却还不甚成熟.生长高质量的SnO2外延薄膜并探究薄膜的结构与光学性能的影响因素对于实现SnO2薄膜在短波长发光领域的实际应用具有重要意义.本工作中,采用脉冲激光沉积法(PLD)制备出高质量的SnO2外延薄膜,并系统研究了衬底温度与薄膜厚度对外延薄膜结构及光学性能的影响.

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