论文部分内容阅读
Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrat
【机 构】
：
大连理工大学教育部三束材料改性重点实验室,大连,116024
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
【发表日期】
：
2015年期
其他文献
氮化铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方
会议
By flowing the conventional GaN template surface with Trimethylgallium(TMGa)in H2 and low NH3 ambient at low temperature followed by high-temperature anneal
会议
实验通过对AlN表面台阶聚并行为进行深入研究,发现AlN表面台阶聚并行为与Ⅴ/Ⅲ比以及三甲基铝(TMA)的流量有着密切的联系.实验中,进一步控制Ⅴ/Ⅲ比以及TMA的流量,最终获得了
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主
本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影
Improved interface quality and luminescence capability of InGaN/GaN quantum wells with Mg pretreatme
By Mg pretreatment of the bottom GaN barrier surface,the growth behavior of the high indium content InGaN/GaN quantum wells(QWs)changed greatly;the interfac
会议
GaN基半导体材料是直接带隙半导体且禁带宽度从紫外波段到红外波段连续可调,因而被广泛应用于制作发光二极管和激光器等方面.一般商品化的GaN基LED是通过金属有机物化学气相
会议
虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga
会议
近年来,随着显示技术的迅速发展,非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管由于其较好的均匀性和高迁移率得到了广泛的应用.通常沉积IGZO薄膜技术主要为射频磁控溅射(RF),由于需要在溅射过程
会议
近年来,非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)因其高迁移率、高光学透过率、低制备温度和低成本等优点,吸引了学术界及工业界广泛关注,在未来大尺寸平板显示技术发展中具有很
会议