【摘 要】
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第四副族过渡金属氮化物薄膜具有优异的光电性质以及潜在应用,近年来倍受关注.点缺陷以及成分引起的相变普遍存在与这类薄膜材料中并且它们对薄膜的光电性质有重要的调控
【机 构】
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材料科学与工程学院,吉林大学,长春130012
【出 处】
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第十二届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
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第四副族过渡金属氮化物薄膜具有优异的光电性质以及潜在应用,近年来倍受关注.点缺陷以及成分引起的相变普遍存在与这类薄膜材料中并且它们对薄膜的光电性质有重要的调控作用.然而,目前研究者对点缺陷类型及"富氮相"的辨认仍有分歧,点缺陷形成原因以及相变物理机制尚不清楚.针对这些问题,我们利用磁控溅射制备了氮化铪薄膜,通过一系列实验(x射线衍射、电子衍射、透射电镜、拉曼、x射线光电子能谱等)与理论计算的组合开展了如下研究：(1)点缺陷类型的辨认及形成原因；(2)点缺陷对光反射、电导性质的调制作用；(3)相交的辨认与热力学机制；(4)相变引起的金属-半导体转变.主要研究结果已发表在Acta Mater.,Scrip.Mater.,J.Phys.Chem.C.学术刊物上.
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