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使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及调XRD测试分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明，基片温度影响膜的载流子浓度、迁移率以及膜的结晶程度。在基片温度为200℃附近沉积的膜具有高的透光率和低的电阻率，是一个最佳温区。
基片温度对电子束蒸发沉积的ZnO:Al膜性能的影响
【摘 要】
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使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及调XRD测试分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明，基片温度影
【机 构】
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大学薄膜材料实验室
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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1998年期
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