高温度稳定性的反极性红光LED芯片

来源 :第十三届全国LED产业发展与技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:love43524
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  LED对温度极为敏感,温度的变化会影响LED的电压、波长、光通量及可靠性等.本文介绍了浪潮华光K5(10mil)反极性红光LED芯片20mA工作电流下亮度超过550mcd,光效达到751m/W,电压随温度的升高降低0.94mV/℃,波长随温度升高红移0.09nm/℃,显示出良好的高温工作稳定特性,其分析结果可用于指导红光LED芯片在白光中的应用.
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利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了倒装芯片的设计,制备了具有高取光效率的LED芯片.对封装好的1.1×1.1mm2蓝光和白光灯分别进行测试.在350mA正向电流下,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率为546 mW,外量子效率为50.3%.相同正向电流下,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为1
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