【摘 要】
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紫外半导体发光器件在照明和通讯等领域有着广泛的应用,直接宽带隙的ZnO材料被认为在制备高效率紫外发光器件方面极具应用潜力。当Mg的组分不太大时,ZnMgO材料的基本性质
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024;集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012集成光电子学国
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紫外半导体发光器件在照明和通讯等领域有着广泛的应用,直接宽带隙的ZnO材料被认为在制备高效率紫外发光器件方面极具应用潜力。当Mg的组分不太大时,ZnMgO材料的基本性质与ZnO材料类似,但禁带宽度大于后者,因此利用其可制备出波长更短的紫外发光器件。同ZnO材料一样,ZnMgO材料的p型掺杂问题并没有获得很好的解决。我们采用夹层掺杂方法,在n-GaN/Al2O3衬底上采用MOCVD方法生长p-ZnMgO：As薄膜,接着在n-GaN和p-ZnMgO上分别制作In和Au电极,这样就制备出p-ZnMgO/n-GaN异质结器件。
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