具有pn结复合缓冲层的大功率AlGaN/GaN HEMTs器件研究

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q56260916
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对具有pn结复合缓冲层的AlGaN/GaN HEMT器件进行了仿真研究.首先,对pn结复合缓冲层减小泄漏电流的原理进行了说明.其次,对Lgd=6μm的AlGaN/GaN HEMT器件的特性进行了分析,包括输出特性、转移特性以及击穿特性.仿真结果显示,采用pn结复合缓冲层后,器件泄漏电流减小了近两个数量级,器件击穿电压从73 V上升到880V.最后,在保持pn结各单层厚度不变的情况下,对pn结各单层的掺杂浓度范围进行了优化.仿真结果显示,n型单层掺杂浓度超过3×1017 cm-3时,器件击穿电压开始下降.
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