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n-SiCp-ZnO基异质结发光器件的制备
【机 构】
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集成光电子国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012大连理工大学物理与光电工程学院,大连116023集成光电子国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012;大
【出 处】
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第五届届全国氧化锌学术会议
【发表日期】
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2011年11期
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采用低压金属有机物化学气相沉积技术成功制备了p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管,在正向直流电压下,测试得到～406nm的紫外电致发光。在相同生长
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