基于MOCVD技术的AlN声表面波谐振器

来源 :第十五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nqwei
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  基于铌酸锂(LiNbO3)的声表面波(SAW)滤波器件已经在射频移动通讯设备的前端实现了商业化应用。随着移动通讯技术的迅猛发展,基于LiNbO3的SAW工作频率因为声速较小(3400-4000 m/s)和金属叉指线宽受普通光刻精度限制等因素较低,难以满足通讯系统工作频率不断提升的需求。
其他文献
纳米多孔金是一种具有纳米级孔结构的金属材料,内部为大量三维相互贯通的纳米尺度孔隙和骨架,其具有比表面积高、导电性高、延展性能好等特性,被广泛应用于催化、传感、分离、过滤、生物材料、燃料电池、电化学储能等领域。
近年来,柔性材料技术在电子工业领域大量应用,虚拟现实技术蓬勃发展,柔性化光电子领域的发展急需新型半导体材料,这类半导体材料需满足良好的机械柔性和高的透过率,并且电学性能要高于传统的非晶硅半导体。
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因具有宽禁带、高激子束缚能、环境友好、成本低廉等优势,吸引了众多研究者的关注。沿非极性方向异质外延生长的ZnO基合金薄膜,由于薄膜和衬底之间存在晶格失配和热膨胀系数失配,通常会在薄膜内引入各向异性应力。
可溶液加工的有机半导体材料在大面积、柔性、低成本的有机薄膜晶体管领域有很大的应用前景。近年来,通过分子设计和器件工程,基于有机半导体薄膜的场效应晶体管性能得到了很大提升,然而n型材料的性能仍远远落后于p型材料,并且载流子的传输机制始终不清晰。
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铁电薄膜具有优良的压电性、介电性、铁电性等,已经被广泛应用于传感器、电容器、非易失性存储器、红外探测器等微电子器件。随着薄膜制备技术的发展,铁电超晶格薄膜的研究已经得到广泛的关注。
La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)多晶薄膜具有良好的低场磁电阻性能,在磁存储等领域有着广泛的应用前景.居里温度(TC)和金属-绝缘转变温度(TMI)是表征LSMO薄膜的磁、电性能的两个重要参量,而TC和TMI之间的温度差(△T=TC-TMI)对其低场磁电阻性能有很大影响.
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PbTiO3(PTO)铁电薄膜具有较高的居里温度和较大的热释电系数,已用于制备红外探测器等铁电集成器件。但是,铁电集成器件的制备需要与Si半导体工艺相结合,故需要尽可能地降低PTO薄膜的结晶温度。
铁电阻变存储器具有非破坏性读写、高存储密度、结构简单和低能耗等优势,因此被认为是最具应用前景的新型非挥发性存储器之一。虽然在许多文献中,较好的铁电阻变性能已经在铁酸铋、钛酸钡和锆钛酸铅等铁电异质结薄膜中实现,但是同一材料体系在不同文献中的阻变性能却表现出很大的差异。