切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
n掺杂CdMnTe晶体中Cd空位分布及电学性能研究
n掺杂CdMnTe晶体中Cd空位分布及电学性能研究
来源 :第十五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:daTyrant
【摘 要】
:
近年来,三元化合物半导体碲锰镉受到了广泛的关注和研究.CdMnTe晶体具有优异的光电性能,是最为理想的室温X射线、γ射线探测器材料之一.
【作 者】
:
温旭亮
张继军
王林军
闵嘉华
梁小燕
黄健
唐可
毛祎斐
凌云鹏
杨柳青
【机 构】
:
上海大学 材料科学与工程学院
【出 处】
:
第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
:
2016年5期
【关键词】
:
碲锰镉
点缺陷
掺杂
迁移率寿命乘积
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近年来,三元化合物半导体碲锰镉受到了广泛的关注和研究.CdMnTe晶体具有优异的光电性能,是最为理想的室温X射线、γ射线探测器材料之一.
其他文献
ZnO单晶上同质外延ZnO、MgZnO薄膜及性能研究
ZnO基半导体材料因优异的光电性能在高效率短波长光电器件领域具有广阔的应用前景.目前的器件大多外延在Al2O3或Si等异质衬底上.Al2O3衬底和ZnO之间存在高达18%的晶格失配和29%的热失配.
会议
同质外延
单晶薄膜
ZnO
MgZnO
SiO2掺杂的Sb薄膜作为高速、低功耗相变存储器应用研究
为了获得应用于相变存储器的高速、低功耗相变薄膜,本文采用磁控溅射方法制备了SiO2掺杂的Sb薄膜.相比于纯的Sb薄膜,SiO2掺杂提高了薄膜的晶化温度(~245 oC)和晶化激活能(3.63 eV),使得薄膜的10年保持温度大幅提高(156 oC温度保持10年).
会议
SiO2掺杂
高速
低功耗
相变存储器
高迁移率高稳定性ZnON薄膜的生长优化及TFT研制
近年来,以铟镓锌氧为代表的非晶氧化物薄膜晶体管成功解决了迁移率和均匀性问题,在液晶显示或有机LED显示技术中具有非常重要的应用前景,但其光照下稳定性问题及贵重金属In和Ga的消耗仍有待解决。
会议
ZnON薄膜
老化机制
薄膜晶体管
纳米多孔金薄膜及其在微型超级电容器中的应用
纳米多孔金是一种具有纳米级孔结构的金属材料,内部为大量三维相互贯通的纳米尺度孔隙和骨架,其具有比表面积高、导电性高、延展性能好等特性,被广泛应用于催化、传感、分离、过滤、生物材料、燃料电池、电化学储能等领域。
会议
纳米多孔金
微型超级电容
二氧化锰
柔性衬底非晶氧化镓薄膜的制备及其高导电性
近年来,柔性材料技术在电子工业领域大量应用,虚拟现实技术蓬勃发展,柔性化光电子领域的发展急需新型半导体材料,这类半导体材料需满足良好的机械柔性和高的透过率,并且电学性能要高于传统的非晶硅半导体。
会议
柔性衬底
非结晶氧化镓薄膜
电学性能
各向异性应力对非极性a面MgZnO薄膜偏振度的影响
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因具有宽禁带、高激子束缚能、环境友好、成本低廉等优势,吸引了众多研究者的关注。沿非极性方向异质外延生长的ZnO基合金薄膜,由于薄膜和衬底之间存在晶格失配和热膨胀系数失配,通常会在薄膜内引入各向异性应力。
会议
非极性
a面MgZnO薄膜
各向异性应力
偏振度
烷基链分叉位置对n型有机半导体醌式分子薄膜和场效应晶体管性能的影响
可溶液加工的有机半导体材料在大面积、柔性、低成本的有机薄膜晶体管领域有很大的应用前景。近年来,通过分子设计和器件工程,基于有机半导体薄膜的场效应晶体管性能得到了很大提升,然而n型材料的性能仍远远落后于p型材料,并且载流子的传输机制始终不清晰。
会议
薄膜结构
薄膜场效应晶体管
有机半导体
醌式分子
α-Ga2O3薄膜的溶胶-凝胶法制备及其日盲光电特性
Ga2O3是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,其禁带宽度Eg~4.9 eV(~250nm),具有高的紫外可见光透过率,是一种非常有前景的紫外/深紫外光电子器件氧化物半导体材料.
会议
α-Ga2O3薄膜
溶胶-凝胶法
蓝宝石
BaTiO3/PbZr0.52Ti0.48O3超晶格薄膜的制备及其电学性能
铁电薄膜具有优良的压电性、介电性、铁电性等,已经被广泛应用于传感器、电容器、非易失性存储器、红外探测器等微电子器件。随着薄膜制备技术的发展,铁电超晶格薄膜的研究已经得到广泛的关注。
会议
铁电超晶格
BaTiO3
PbZr0.52Ti0.48O3
介电性能
铁电性能
沉积温度对La0.7Sr0.3MnO3多晶薄膜的低场磁电阻性能的影响
La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)多晶薄膜具有良好的低场磁电阻性能,在磁存储等领域有着广泛的应用前景.居里温度(TC)和金属-绝缘转变温度(TMI)是表征LSMO薄膜的磁、电性能的两个重要参量,而TC和TMI之间的温度差(△T=TC-TMI)对其低场磁电阻性能有很大影响.
会议
La0.7Sr0.3MnO3薄膜
脉冲激光沉积
Mn3+/Mn4+比例
微观组织结构
低场磁电阻
与本文相关的学术论文