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该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果,研究人员针对不同的电子束机型,采用了不同的电子束曝光工艺(包括抗蚀剂工艺、曝光工艺及图形转换工艺),研制的器件包括具有0.2um栅长的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有叉指宽度为0.82-0.7微米、中心频率为950MHz,1.134GHz,1.350GHz的声表面波(SAW)谐振器和滤波器,以及具有0.5um叉指的MSM(金属—半导体—金属)光检测器的器件图形,除MSM因条件限制,图形转换工艺遇到极大困难未形成器件而外,前两种器件经测试证明:线条清晰,线宽均匀,高频性能优良,性能一致性好。另外,在微米级可变矩形电子束曝光机上研制成具有0.5um叉指的MSM器件图形,亦证明研究人员采取的曝光工艺是可行的。