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3μm以上中红外InGaAsSbAlGAInAsSb量子阱分子束外延生长

来源 :第十届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jfhz2001

【摘 要】

：

锑化物半导体材料属于窄禁带材料,其禁带宽度对应于2-5μm中红外波段的大气窗口,此波段包括了很多重要的气体分子的特征谱线,同时在此波段激光在空气散射相对比较低,因而锑化

【作 者】

：

邢军亮 张宇 王国伟 王娟 向伟 任正伟 徐应强 牛智川 

【机 构】

：

超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京,100083

【出 处】

：

第十届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2013年8期

【关键词】

：

锑化物半导体材料 量子阱 分子束外延生长 光致发光 

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锑化物半导体材料属于窄禁带材料,其禁带宽度对应于2-5μm中红外波段的大气窗口,此波段包括了很多重要的气体分子的特征谱线,同时在此波段激光在空气散射相对比较低,因而锑化物量子阱发光器件可以广泛应用于环境监测、生物医学、泄露监测、激光制导、红外对抗等领域.本文通过对InGaAsSb/AlGaInAsSb量子阱材料的光致发光特性研究,分析了生长参数对量子阱发光性能的影响,优化了3μm以上量子阱MBE生长参数,为锑化物发光器件外延生长奠定了坚实的基础.

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