在膜带传输过程中,实现在线连续沉积,会造成化学液的持续消耗,同时化学液中含有限制排放的镉离子,废液处理费用昂贵,因此无论从化学液消耗角度还是从降低废液处理费用角度,都要尽可能减少化学液的消耗量.针对这些难点,提出了化学液以液膜形式流过膜带表面,并对化学液流速进行控制的解决办法.再根据薄膜传输速度,对沉积工艺时间进行准确控制,从而实现膜带传输过程中的连续在线沉积.通过在线式化学沉积工艺中的药液供给系
本文就硅通孔技术及其非常关键的可靠性和工艺成本做一个比较详细的分析,并就该技术的使用现状及未来应用前景进行一个全面介绍.本文同时也介绍了中电24所在TSV方面所作的一些初步工作.总的来看，随着TSV技术的发展和成品率的提高，TSV将在中高端全面占据市场份额，市场空间巨大。
宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用禁带中的束缚能级和俘获截面来表征.虽然许多作者使用各种测试方法进行了深入的研究,但是用不同方法测得不同器件中的陷阱能级相差1～2eV,俘获截面相差3个量级.而且测试结果
本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方法的表征可行性。
微通道液冷热沉由于其优良的散热能力,在高能电子设备,如雷达与高功率半导体激光器中有广泛的应用前景.随着电子技术的发展,芯片的封装密度和热流密度迅速升高,对微通道液冷热沉的材料属性与加工方式提出更高要求.本文首先综合分析了传统微通道液冷热沉制作材料与成型方式的优势和不足之处,同时阐述了3D打印技术的原理、特点及其在微通道液冷热沉制作上的优势,提出根据3D打印技术制造能力,优化传统微通道散热结构,一体