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光学浮区法生长(InNb)0.1Ti0.9O2晶体
光学浮区法生长(InNb)0.1Ti0.9O2晶体
来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ASD121406113
【摘 要】
:
(InNb)0.1Ti0.9O2陶瓷不仅具有高介电系数,同时具有较小的介电损耗,是一种极具应用前景的巨介电材料.这种优异的介电性质的产生机理尚处于研究阶段,且说法不一.单晶样品是分
【作 者】
:
刘子儀
【机 构】
:
哈尔滨工业大学
【出 处】
:
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
光学
浮区法
生长
应用前景
介电性质
介电系数
介电损耗
介电材料
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(InNb)0.1Ti0.9O2陶瓷不仅具有高介电系数,同时具有较小的介电损耗,是一种极具应用前景的巨介电材料.这种优异的介电性质的产生机理尚处于研究阶段,且说法不一.单晶样品是分析材料本征性质的有利武器.
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