硅基体列阵式通道电子倍增器

来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:alanlee75
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
该文介绍了硅基体列阵式通道电子倍增器AT-MCP及其工艺特点,指出了工艺中出现的新现象,展示了其发展前景。
其他文献
会议
一张A4纸,N个乒乓球,一群挤在一起的“小脑袋”,在5分钟内完成“球鼎大厦”创意搭高的活动任务;一张报纸,没有任何工具,10分钟小组合作搭建纸塔支撑,看哪组纸塔最高、支撑时
期刊
多元智能理论在尊重学生差异、发挥学生潜能、培养创新能力等方面具有独特的价值,对于教师树立正确的教育观、教学观、人才观、评价观以及教育教学改革等具有重要的意义。多
针对局域波分解后去除含噪分量与虚假分量的随意性和盲目性,提出了局域波互信息降噪方法。首先用局域波对信号进行分解,计算各IMF分量与原信号的互信息,再选取互信息值高的分
研究和比较了5种硅基材料(单晶Si、单晶SiC、烧结a-SiC、CVD-Si<,3>N<,4>和烧结Si<,3>N<,4>)在1100~1400℃温度和101。33kPa氧气环境中的氧化行为和氧化机理。氧化硅材料的抗氧化性能最优良,碳化硅材料次之,硅的抗氧化性能最差。氧元素通