硅基体相关论文
本文探索研究了硅基体注入氮、硼元素对后续射频磁控溅射沉积制备c-BN薄膜的影响,试验结果表明:离子注氮能有效提高薄膜的立方相含......
以氯铂酸为催化剂,二甲苯为助溶剂,聚碳硅烷(PCS)和二乙烯基苯(DVB)为基体,制备碳化硅先驱体浆体,采用浸渍-干燥-交联-高温裂解的......
本文对硅基体上沉积金刚石膜的制备方法以及应用领域进行了研究和介绍。通过研究发现，硅基体上沉积的金刚石膜几乎没有网状裂纹......
本文报道了由中国科学院高能物理研究所自行研制的掠出射X射线荧光分析(GEXRF)装置.掠出射X射线荧光分析不仅可以测量薄膜的成分,......
在用融盐法成功实现氮化硅陶瓷钛金属化的基础上，对融盐法制备的钛金属层与氮化硅基体的界面结构研究发现，氮化硅与钛发生反应生成呈......
用化学气相渗透（ＣＶＩ）＋先驱体浸渍法制备了四种３Ｄ Ｃ／ＳｉＣ复合材料。分别对其中两种进行比较，研究了预制体、柔性炭界面层和碳化硅基体的结构组成对......
随着半导体技术的不断发展,硅基电子元件的集成化程度越来越高,尺寸越来越小,因此人们迫切需要建立可在平衡及非平衡条件下能够更......
本文以氢气和丙酮为原料 ,采用电子增强热丝CVD法 ,在硅片 (10 0 )基体上沉积一层金刚石薄膜 ,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技......
本文使用高分辨透射电镜（HRTEM）成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明：......
【本刊2016年1月综合报道】燃料元件是反应堆的核心部件，其性能指标直接影响反应堆的安全性和经济性。尽管已经有许多类型的核燃料，......
本文以氢气和丙酮为原料，采用电子增强热线CVD法，在硅片（100）基体上沉积一层金刚石薄膜，并采用光刻法和显式各向异性刻蚀技术制备出金刚......
用实验的方法研究了PVD，IBAD和IBAD－PVD复合等不同方法在硅基底上镀制Cu膜的结构特点及真空退火时的结构变化。利用XRD，RBS，SEM等分析......
point随着航空电子器件的尺寸逐渐趋于纳米量级,不同材料之间的界面热传输性质对整体传热性能起着重要的影响。二氧化硅和硅基体组......
采用离子注入、沉积、动态混合注入沉积工艺，在硅基体上制备TiN膜层。用纳米划痕法检测成膜质量，用扫描电镜观察划痕形貌。对比分析......
过去20年中，氮化硅陶瓷的高温应用被广泛研究。添加稀土元素能改进氮化硅陶瓷的机械和物理性能，但是人们不了解这是为什么，以及为什么......
用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由......
Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀和光电化学（PEC）刻蚀等半导体工艺技......
目的结合金属辅助化学湿法刻蚀原理，在单晶硅表面制备高效减反的微纳米结构。方法以单晶硅为基体。提出用Cu^2＋作为催化剂，在单晶硅表......
运用ANSYS软件建立了有限元模型，对化学气相沉积在硅基体上的金刚石膜内部和膜／基交界面处的各热残余应力分量的分布作了计算与分析......
