【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术分解高氢稀释硅烷和氨气混合气体,在不锈钢箔衬底上制备了不同衬底温度和不同等离子体激发功率条件下的a-SiNx∶H绝缘介质薄膜,并通过
【机 构】
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暨南大学电子工程系,广东广州,510632
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术分解高氢稀释硅烷和氨气混合气体,在不锈钢箔衬底上制备了不同衬底温度和不同等离子体激发功率条件下的a-SiNx∶H绝缘介质薄膜,并通过厚度、应力测试以及电阻率测量,对所制备的a-SiNx∶H薄膜材料的沉积速率、力学特性以及电学特性进行了研究。由实验结果可知,优化材料沉积时的衬底温度和等离子体激发功率,可在沉积速率高于0.3nm/s的制备出电阻率约1011Ωcm、应力小于60Mpa的器件质量级a-SiNx∶H薄膜。
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