【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了非晶硅,微晶硅过渡区材料,并对材料特性进行了研究。实验结果表明:硅基薄膜材料的沉积速率随着硅烷浓度的增加单调增大,而随着衬
【机 构】
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暨南大学电子工程系,广东广州,510632
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了非晶硅,微晶硅过渡区材料,并对材料特性进行了研究。实验结果表明:硅基薄膜材料的沉积速率随着硅烷浓度的增加单调增大,而随着衬底温度增大出现最大值；材料的结晶体积分数和平均晶粒尺寸均随硅烷浓度的增大而减小,随衬底温度的变化则更为复杂,先随衬底温度的增加而增大,但温度过高时反而会减小；材料的光学带隙随着硅烷浓度的增大而增大,而随着衬底温度的增大而减小；材料光敏性随硅烷浓度和衬底温度变化规律与光学带隙的变化规律相似,但变化幅度相对更加显著。综合实验结果可知,合理选择硅烷浓度与衬底温度,可实现器件质量级非晶硅,微晶硅过渡区域材料的沉积。
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