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利用电子束沉积法在普通玻璃衬底上沉积了a-Si/Al双层薄膜,然后在有氮气保护的不同退火温度条件下制备出多晶硅薄膜。利用拉曼光谱、XRD、SEM对薄膜进行了测试分析。实验结果表明,在铝金属诱导下,a-Si薄膜在450℃和500℃可以晶化,随着退火温度的升高和退火时间的增加,硅薄膜的晶化度加强。
利用电子束蒸发法制备硅薄膜的研究
【摘 要】
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利用电子束沉积法在普通玻璃衬底上沉积了a-Si/Al双层薄膜,然后在有氮气保护的不同退火温度条件下制备出多晶硅薄膜。利用拉曼光谱、XRD、SEM对薄膜进行了测试分析。实验结果
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所 广东 广州 510006
【出 处】
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第十届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
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2008年期
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