【摘 要】
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对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化，发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布，可以有效改进SiGe的直流特性，同时增加器件的特征频率，使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景。
【机 构】
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上海华虹NEC电子有限公司,上海 201206
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化，发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布，可以有效改进SiGe的直流特性，同时增加器件的特征频率，使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景。
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