【摘 要】
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基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺，制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明温度越高，热载流子退化越严重。以饱和电流退化10％为失效判据，采用衬底/漏极电流比率模型对器件热载流子寿命进行了估计，自加热效应的存在使得SOI热载流子寿命的预测变得复杂，为预测器件热载流子寿命提供了一种更加精确的方法.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺，制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明温度越高，热载流子退化越严重。以饱和电流退化10％为失效判据，采用衬底/漏极电流比率模型对器件热载流子寿命进行了估计，自加热效应的存在使得SOI热载流子寿命的预测变得复杂，为预测器件热载流子寿命提供了一种更加精确的方法.
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