切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
95展望硅微电子技术发展趋势
95展望硅微电子技术发展趋势
来源 :第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lls2508
【摘 要】
:
该文从SIA的硅微电子技术发展构图出发,在器件及其结构、工艺技术、集成电路各方面阐述了硅微电子技术在未来15年内的发展趋势,分析了它的发展极限及未来。
【作 者】
:
许忠义
沈文正
【机 构】
:
微电子技术研究所
【出 处】
:
第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议
【发表日期】
:
1995年期
【关键词】
:
硅微电子技术
技术发展
集成电路
工艺技术
发展趋势
器件
结构
构图
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
该文从SIA的硅微电子技术发展构图出发,在器件及其结构、工艺技术、集成电路各方面阐述了硅微电子技术在未来15年内的发展趋势,分析了它的发展极限及未来。
其他文献
硅外延雾缺陷和背面多晶硅对雾缺陷的吸除作用
会议
硅外延
雾缺陷
多晶硅
硅液相外延中石墨舟的选用
会议
液相外延
UHV/CVD硅低温外延
会议
3″硅片CVD外延电阻丝辐射加热稳态过程分析
会议
硅片
外延
电阻丝
辐射加热
稳态
硅片的弯曲度
会议
硅片
硅外延设备及其新进展
该文综合性地介绍了现有常见硅外延炉的性能、特点、生产能力等,同时还 国外大直径硅片外延炉的一些新进展。
会议
硅外延炉
生产能力
大直径
性能
硅片
硅上外延SiGe组分渐变缓冲层的双晶X射线研究
用UHV/CVD法在780℃生长了组分渐变的缓冲层及外延层,缓冲层顶层的应变基本上已完全驰豫,最外层SiGe材料的双晶X射线半高峰宽与单五成分的SiGe外延层比较要低得多,从而提高了外延层的晶体质量。
会议
硅上
外延层
组分
缓冲层
晶体质量
最外层
X射线
峰宽
材料
硅基GaN外延生长的界面分析
该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了GaN外延层,利用X射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析,发现在界面外存在着一层GaN多晶过渡层,这层过渡层能够有效地
会议
硅基
外延生长
外延层
过渡层
真空反应法
射线衍射仪
投射电镜
晶体质量
晶格失配
界面
模型
多晶
材料
棉花离子束育种M_1成苗率的研究
研究了发芽出苗条件和离子注入量对去除种皮棉花种子成苗率的影响,结果表明:播种时覆土过厚是成苗率低的重要因子;离子注入处理100次脉冲,对成苗率不构成威胁,120次脉冲以上,成苗率下降,但
期刊
成苗率
M_1
棉花种子
次脉冲
离子注入
大田直播
棉苗生长
诱变育种
种皮
冬官
双卡套密封、双通道掺杂外延控制系统及三英寸硅外延材料的研制
会议
卡套
密封
双通道
掺杂
外延
控制系统
与本文相关的学术论文