95展望硅微电子技术发展趋势

来源 :第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lls2508
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
该文从SIA的硅微电子技术发展构图出发,在器件及其结构、工艺技术、集成电路各方面阐述了硅微电子技术在未来15年内的发展趋势,分析了它的发展极限及未来。
其他文献
会议
会议
会议
该文综合性地介绍了现有常见硅外延炉的性能、特点、生产能力等,同时还 国外大直径硅片外延炉的一些新进展。
用UHV/CVD法在780℃生长了组分渐变的缓冲层及外延层,缓冲层顶层的应变基本上已完全驰豫,最外层SiGe材料的双晶X射线半高峰宽与单五成分的SiGe外延层比较要低得多,从而提高了外延层的晶体质量。
该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了GaN外延层,利用X射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析,发现在界面外存在着一层GaN多晶过渡层,这层过渡层能够有效地
研究了发芽出苗条件和离子注入量对去除种皮棉花种子成苗率的影响,结果表明:播种时覆土过厚是成苗率低的重要因子;离子注入处理100次脉冲,对成苗率不构成威胁,120次脉冲以上,成苗率下降,但