【摘 要】
：
不相容原油掺混后会引起沥青质的絮凝沉淀,沥青质存在形态的变化使混合原油的胶凝特性发生改变.按照质量比4∶1,配制北疆原油与吐哈原油的混合原油,采用高速离心分离方法将混
【机 构】
：
中国石油大学(北京)油气管道输送安全国家工程实验室北京102249
论文部分内容阅读
不相容原油掺混后会引起沥青质的絮凝沉淀,沥青质存在形态的变化使混合原油的胶凝特性发生改变.按照质量比4∶1,配制北疆原油与吐哈原油的混合原油,采用高速离心分离方法将混合原油中析出的沥青质分离并称重,对沥青质析出量随时间的变化进行了研究.采用流变仪及凝点仪测试了沥青质分离前后混合原油的胶凝温度以及凝点.研究发现,北疆原油与吐哈原油充分混合后,混合原油中的沥青质析出量随时间延长而增加,24h后趋于稳定值.在沥青质析出量逐渐增加的过程中,混合原油以及除去析出沥青质的混合原油均呈现凝点降低的趋势,而且,析出沥青质被分离后的混合原油较分离前凝点上升.
其他文献
Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料
基于半导体光电转换原理的红外光探测器以其能带可调、响应速度快、探测率高等特点成为红外探测领域的重要分支.本文提出的量子级联结构波长上转换器件基于低维半导体材料中
近些年来,Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于其在红外探测、激光器和太阳能电池等方面有着诱人的应用前景引起人们广泛关注.而纳米线异质结能够极大地拓宽研究者在材料组合上的选择空
Type-Ⅱ InAs/GaSb superlattices (T2SLs) have recently garnered significant interest and are now considered to be a potential alternative to HgCdTe technolog
在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中掺入Bi原子会使得材料本身很多方面的性质发生改变,出现许多具有具大应用潜力的新现象,如:有效增强自旋轨道分裂,显著减小禁带宽度等[1-5],引发了国际
本文对一种基于共振隧穿效应的弱光探测器进行研究.设计了具有600 nmInGaAs吸收层和AlAs/InGaAs/AlAs双势垒结构的探测器外延结构，对探测器在1550 nm波段的响应度进行了测
稀Bi半导体材料具有大的带隙收缩效率和强的自旋轨道分裂能,这些性质使它在光通讯和中红外光电子器件中具有极大的应用潜力而备受关注[1-3].近期,我们通过气态源分子束外
理论上证明1.4％的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,另外Ge与Si基CMOS工艺兼容. 张应变Ge优秀的电学性质与光学性质使
InGaAs/GaAsSb Ⅱ类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该体系材料的能带结构可以实现2um到4um波段覆盖，目前被广泛用于激光器和探测器。不同于高In组份的InGaAs材
Compared with other infrared materials, InAs/GaSb Type-Ⅱ supperlattices show a lot of advantages, such as its large adjustable spectral bandwidth, good lattice