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窄禁带半导体超晶格的红外调制光谱初步研究
窄禁带半导体超晶格的红外调制光谱初步研究
来源 :第十八届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiawayu
【摘 要】
:
发展了基于步进扫描傅里叶变换红外光谱仪的红外调制PL和PR技术闭,使得系统分析中、远红外波段窄禁带碲镉汞(HgCdTe)半导体PL和PR光谱特性成为可能。窄禁带半导体超晶格被
【作 者】
:
邵军
【机 构】
:
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
【出 处】
:
第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
:
2011年8期
【关键词】
:
半导体材料
窄禁带碲镉汞
超晶格
物理性能
红外调制技术
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发展了基于步进扫描傅里叶变换红外光谱仪的红外调制PL和PR技术闭,使得系统分析中、远红外波段窄禁带碲镉汞(HgCdTe)半导体PL和PR光谱特性成为可能。窄禁带半导体超晶格被认为是在长波红外波段有望替代HgCdTe的新型红外探测材料,对其进行了系统概述。
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