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本文提出了一种的耐压技术——横向变厚离VLT技术,以及基于此技术的一种新高压器件结构——阶梯漂移区SOI结构,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击电压5％～10％的同时,漂移区电阻大幅度降低48％～52％,而且漂移区尺寸也可缩小10％,且采用一阶或二阶阶梯即可达到接近线性漂移区的理想效果。