介绍了管材专用料发展历史，并着重阐述了PPR管材耐温、耐压机理及其性能影响因素，分析该行业未来发展之路。......

本文提出了一种的耐压技术——横向变厚离VLT技术,以及基于此技术的一种新高压器件结构——阶梯漂移区SOI结构,借助二维器件仿真器......

现代功率集成电路正逐渐向大功率、低功耗、高可靠性、高集成度方向发展，对半导体衬底材料和器件性能提出了更高的要求。SOI衬底结......

每一项电力电子新技术的出现和新装置的诞生都是以新型电力半导体器件的问世为契机。因此,电力半导体器件是电力电子技术的基础和......

海洋覆盖了地球面积的70%以上,其中深海环境占地球表面积的49%,是地球表面最大的生物栖息场所。深海微生物处于高压力、无光照、贫......

研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF（Reduce SURface Field）结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响；发现并解释了该结构纵......

本文系统地研究了基于微波功率放大器应用的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的耐压机理和相关的可靠性。重点分析了引起GaN HEMT击穿......