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Ga(As)Sb/GaAs量子阱量子点光学特性的研究
Ga(As)Sb/GaAs量子阱量子点光学特性的研究
来源 :第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ciancomjy
【摘 要】
:
本文用稳态和瞬态光谱研究了Ga(As)Sb/GaAs量子阱的能带结构及其相应的发光性质,并报道GaSb/GaAs量子点的自组织生长过程和退火特性.
【作 者】
:
罗向东
徐仲英
王文新
王玉琦
葛惟琨
【机 构】
:
中科院半导体研究所超晶格重点实验室(北京)
【出 处】
:
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
2002年期
【关键词】
:
量子阱
量子点
退火特性
能带结构
光谱研究
发光性质
自组织
稳态
瞬态
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本文用稳态和瞬态光谱研究了Ga(As)Sb/GaAs量子阱的能带结构及其相应的发光性质,并报道GaSb/GaAs量子点的自组织生长过程和退火特性.
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