【摘 要】
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采用热压烧结法制备了SiC晶片增韧的ZrB2陶瓷复合材料(SiCpl/ZrB B 2)，SiC晶片的含量分别为5、10、15、20vol％，添加了5vol％的AlN作为烧结助剂。研究了该材料在1200 ℃条件下的氧化行为，氧化升温速率为5 ℃/min 。结果表明随着SiCpl含量的增加，氧化后样品增重趋势逐渐减慢；在氧化初期，质量增加与氧化时间呈正比，随着时间的延长，氧化增重与时间成抛物线变化关系
【机 构】
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清华大学,材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084 清华大学,材料科
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采用热压烧结法制备了SiC晶片增韧的ZrB2陶瓷复合材料(SiCpl/ZrB B 2)，SiC晶片的含量分别为5、10、15、20vol％，添加了5vol％的AlN作为烧结助剂。研究了该材料在1200 ℃条件下的氧化行为，氧化升温速率为5 ℃/min 。结果表明随着SiCpl含量的增加，氧化后样品增重趋势逐渐减慢；在氧化初期，质量增加与氧化时间呈正比，随着时间的延长，氧化增重与时间成抛物线变化关系。氧化后材料表面主要氧化产物为ZrO2，另外有部分SiO2及铝硅酸盐玻璃。氧化层厚度大约为10~50μm 。对该材料的氧化机理及其动力学进行了分析研究。
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