【摘 要】
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本文对Cu(In,Ga)Se2太阳电池进行了系统的光学优化研究,采用干涉矩阵方法计算了Cu(In,Ga)Se2太阳电池的表面反射率,用加权平均反射率Rw作为评价函数,对多层薄膜系统进行了整体的光学优化。通过计算得到了CdS与ZnO薄膜的最佳厚度,并提出了用SiOx代替MgF2作为Cu(In,Ga)Se2组件的减反射膜。计算结果表明,SiOx作为减反射膜使Cu(In,Ga)Se2组件的量子效率提高,
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院光电子研究所,天津300071 南开大学信息技术科学学院微电子科学系,天津300071
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本文对Cu(In,Ga)Se2太阳电池进行了系统的光学优化研究,采用干涉矩阵方法计算了Cu(In,Ga)Se2太阳电池的表面反射率,用加权平均反射率Rw作为评价函数,对多层薄膜系统进行了整体的光学优化。通过计算得到了CdS与ZnO薄膜的最佳厚度,并提出了用SiOx代替MgF2作为Cu(In,Ga)Se2组件的减反射膜。计算结果表明,SiOx作为减反射膜使Cu(In,Ga)Se2组件的量子效率提高,为进一步提高电池和组件效率奠定了基础。
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采用水热法,在以乙醇为反应溶剂,EDTA为络合剂加的情况下,通过调变Ln3+/EDTA(Ln=Y,Yb,andEr)的比例,得到了具有较高发射强度的掺杂18％Yb3+、2％Er3+的NaYF4纳米上转换材料；调变Ln3+/F-的比例,得到了具有强发光度的掺杂18％Yb3+、2％Er3+的NaYF4微米上转换材料,以期应用于不同的太阳电池。且通过对比发现微米材料的发射强度大于纳米材料。
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