【摘 要】
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热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键
【机 构】
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中科院半导体所照明研发中心,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损伤对垂直结构GaN基LED光电特性的影响。实验结果表明,热压键合过程会存GaN材料内产生GPa量级的残余应力,在量子限制strark效应作用下,GaN材料辐射复合效率发生明显退化:同时热压键合应力还会诱发GaN材料位错密度的增加,最终导致LED反向漏电增大。
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