ESD应力下的电阻特性研究

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随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ElectrostaticDischarge, ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。本文主要对ESD应力下的扩散电阻的四个区域:线性区,饱和区,负微分电阻区和二次击穿区的模型作了简单的分析,并通过TLP的实验对这几个区域进行了对比分析,着重讲述了二次击穿区即热击穿区的电阻特性。
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