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本文对直流磁控反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能的影响.
直流反应溅射制备ZnOAl透明导电薄膜
【摘 要】
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本文对直流磁控反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能的影响.
【机 构】
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东北大学(沈阳)中国科学院金属研究所(沈阳)
【出 处】
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中国真空学会五届三次理事会暨学术会议
【发表日期】
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2001年10期
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