一种高亮度GaN基LED芯片光电特性研究

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haoge2919

【摘要】

：

本文介绍一种高亮度GaN基蓝光LED芯片,首先研究其光电特性,通过测量I-Ⅴ曲线判定该芯片的良好二极管特性,在电流大于100 mA时即呈现串联电阻性.当通入不同强度大小的电流时,光功率与半波宽度随电流增大呈亚线性关系,随着输入电流增加,芯片发光谱出现蓝移现象；其次进行可靠性验证,在经过48 h,288 h老化后,光衰分别变为95.02％、93.42％,证明了该芯片具有很好的光衰稳定性.最后研究了I

【作者】

：

Yu Feng 于峰 Peng Lu 彭璐 Liu Yan 刘岩 Sun Daoyuan 孙道远 Liu Cunzhi 刘存志

【机构】

：

Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Weifang 261061,China

【出处】

：

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

【发表日期】

：

2011年11期

【关键词】

：

碳化镓基发光二极管芯片结构光电特性稳定性分析

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