【摘 要】
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本文研究了多步晶片退火(Multi-step Wafer AnneaL-MWA)工艺对垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freezing-VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响
【机 构】
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北京通美晶体技术有限公司,北京 101113
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文研究了多步晶片退火(Multi-step Wafer AnneaL-MWA)工艺对垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freezing-VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor 6220表面缺陷分析仪和Accent RPM2000光致发光mapping系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀件进行了表征。实验结果表明MWA工艺处理大幅度提高了GaAs单晶片的结构和光电性能一致性。退火后晶片光致发光的强度均匀性小于2％,为在衬底上制备性能优异的光电器件打下了良好的基础。同时本文对MWA工艺改善晶片性能均匀性的原因进行了讨论。
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