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本文通过COCVD技术生长了实用化的InGaAs/InP PIN外延材料.利用这些材料研制生产了InGaAs PIN探测器,器件的高性能反映出MOCVD材料具有较高的质量.
平面型InGaAs/InP PIN光电二极管MOCVD材料生长
【摘 要】
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本文通过COCVD技术生长了实用化的InGaAs/InP PIN外延材料.利用这些材料研制生产了InGaAs PIN探测器,器件的高性能反映出MOCVD材料具有较高的质量.
【机 构】
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武汉华工正源光子技术有限公司
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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