【摘 要】
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本文基于中国科学院新疆理化技术所的Agilent Keithley 4200等半导体参数测试系统，以国产0.18Eun深亚微米标准工艺线MOS晶体管为研究对象，开展了电离辐射环境下CMOS器件失配特
【机 构】
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中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文基于中国科学院新疆理化技术所的Agilent Keithley 4200等半导体参数测试系统，以国产0.18Eun深亚微米标准工艺线MOS晶体管为研究对象，开展了电离辐射环境下CMOS器件失配特性的研究，探索了在电离辐射环境中CMOS器件失配的变化规律及损伤机理，并根据相关实验结果及理论分析提出电离辐射环境下失配损伤的加固方法。
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