【摘 要】
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Semiconductor quantum dots (QDs) are ideal candidates of fluorescence devices due to tunable bandgap and high quantum efficiency.Thermal annealing, surface plas
【机 构】
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DepartmentofPhysicsandStateKeyLaboratoryofSiliconMaterials,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027,China
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Semiconductor quantum dots (QDs) are ideal candidates of fluorescence devices due to tunable bandgap and high quantum efficiency.Thermal annealing, surface plasmon resonance (SPR) and photoactivation (PA) effects are combined for the tuning of luminescence process with intense enhancement of the surface-state emission (SSE) of QDs.It is found that annealing causes red shift of band edge emission (BEE) accompanying intensity quench of both BEE and SSE emissions.
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