通过用于CTL和IGGG的PRENFLO煤气化技术满足亚洲清洁能源需求

来源 :第八届国际化学工程和生物技术展览暨会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pingguotailang
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一个国家高速超精高端制造装备的研制能力是一个国家创新能力的源泉,因此成为国家"十五"和"十一五"的为数不多的重大专项之一,"十二五"也已经开始纳入了重点支撑或产业化的范围。本文阐述了新型高速度超精密的半导体微纳制造装备,如光刻机、引线键合机、刻蚀机等所用工件台、掩模台、对准机构等精密减振系统的功能与构成特点,介绍了业界高端设备中实用精微减振技术的特点和现状,分析了特别是65 nm以下各种精密制造装
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提出了在气泡液膜中制备铁氧体纳米粒子前躯体的气泡液膜法(ZL:200510101811.1).采用气泡液膜反应器(ZL:200610033823.X,2006.02.28)将金属离子Mn+与沉淀剂OH—等在液膜中进行沉淀或共沉淀反应,生成铁氧体前躯体纳米粒子.新生态的纳米粒子在气泡壁就地包覆,生成纳米胶囊粒子,吸附气体,形成气相界面,生成矿化泡沫,经纯化处理后制得铁氧体前躯体.前躯体再经水热反应和
等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、残余应力可调节等特点,在微电子机械系统(micro-electromechanical system,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其力学特性对研制MEMS器件和系统具有重要意义。本文通过改变SiH4/NH3流量比例和射频功率大小,制备了多种氮化硅薄膜样品,并采用纳米压痕仪测试其杨氏模量和硬度。结果表明:在较小的
在CVD系统中,将高纯度ZnO粉末(>99.95%)置于炉管中心高温蒸发区,经过清洗处理后的Si(100)基片置于生长区,表面向上,基片表面没有镀金属膜催化剂.炉管内保持在200~300 Torr的真空度,以升温率25℃/min的速度将炉中蒸发区温度上升到1 350℃,开始通传输气体Ar气,流量为40 sccm,蒸发区保持1 350℃的恒温25 min.
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我校重点实验室与中电十三所合作,成功制备了GaN基HEFT微加速度计结构,并通过实验总结出一种测试GaN基HEFT器件压阻系数的方法,为新型微/纳机电压阻型器件的研究提供理论和实验依据.AIGaN/GaN的自发极化和压电极化特性具有改变二维电子气(2DEG)的浓度的作用,当器件受到应力时沟道二维电子气浓度会受到很大影响,因此利用HEFT器件与MEMS结构的结合设计可制造出一些高灵敏度、快速响应、输
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微机械谐振式加速度计具有体积小、功耗低、测试精度高等诸多优点,在民用和军事领域都有广泛应用。但仍存在灵敏度低、输出稳定性差等问题,制约着其在高端领域的应用。本文提出一种电磁驱动、电磁检测微机械谐振式加速度传感器,采用浓硼扩散硅(15μm厚)作为谐振梁,由两组H型谐振梁组成差分检测以提高检测灵敏度并有效改善了交叉灵敏度、线性度、温度稳定性等。基于MEMS体硅加工工艺,特别是利用浓硼扩散自停止湿法腐蚀
高线性度微机械陀螺的动态特性是高性能高精度陀螺研究的一个重要方面。介于微结构涉及微观干扰力的作用机理及行程效应、各种阻尼力及电场力的作用因素、微机械陀螺各转换环节间的线性度、双级解耦结构等都对微机械陀螺的动态特性造成了一定的影响。因此,本文在设计一种高线性度双极解耦微机械陀螺基础上对其动态性能进行了测试分析。该微机械陀螺采用SOG加工工艺,管芯用陶瓷DIP-24方式封装。
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在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的光强提高了244 mcd,极大提高了发光强度;ODRLED光通量、光效、色纯度比普通LED分别提高了6.04%,5.74%,78.64%,但电压仅增加了0.009 V.ODRLED具有绝对优势是其色温要比普通LED的色温低1
表面等离子体(surface plasmon)是金属表面的自由电子与光子相互作用产生的沿着金属表面传播的电子疏密波。近十年来,发生于金属纳米粒子表面的纳米等离子体(nanoplasmonic)现象受到越来越多的关注。当发生纳米等离子体谐振时,纳米粒子吸收入射光、产生热量、传输能量和激发光子,这些物理光学现象为纳米生物传感器的发展带来全新的科学手段。
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