【摘 要】
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采用共溅射和铕离子注入热生长的SiO方法得到SiO(Eu)薄膜,Eu离子的掺杂浓度用Rotherford背散射确定为4﹪和0.5﹪.对样品的光荧光测试发现,薄膜具有峰值在604nm和443nm的红光和蓝光发射,分别对应于Eu的D-F跃迁和Eu的4f5d-4f(S)的跃迁.样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究,表明了在高温氮气中发生了Eu向Eu的转变.SiO(Eu)薄膜高温氮气温退火下蓝光发射
【机 构】
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中国科技大学研究生院和稀土化学及应用国家重点实验室(北京) 高能物理研究所同步辐射实验室(北京)
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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采用共溅射和铕离子注入热生长的SiO<,2>方法得到SiO<,2>(Eu)薄膜,Eu离子的掺杂浓度用Rotherford背散射确定为4﹪和0.5﹪.对样品的光荧光测试发现,薄膜具有峰值在604nm和443nm的红光和蓝光发射,分别对应于Eu<3+>的<5>D<,0>-<7>F<,J>跃迁和Eu<2+>的4f<6>5d<1>-4f<7>(<8>S<,1/2>)的跃迁.样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究,表明了在高温氮气中发生了Eu<3+>向Eu<2+>的转变.SiO<,2>(Eu)薄膜高温氮气温退火下蓝光发射的增强证明了这一结论.
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采用固态源后硒化制备CIS薄膜具有设备工艺方法简单,易于控制硒化反应过程,可提高制备工艺的重复性等材料特点.本文介绍了固态源后硒化法的工艺制备及设备结构;对同一元素配比的基底采用不同硒化条件,以及同一硒化条件,不同元素配比的基底材料所生成的硒化物有何不同;钼膜衬底和玻璃衬底所生成的硒化物不何不同等等进行了实验研究与分析.结果表明,元素配比的精确性决定着CIS薄膜材料制备的重复性;硒化过程中衬底温度
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为了降低稀土系贮氢合金的成本,研究了Cr部分替代Co对MINiCoCrMn(,0.55>Al(x=0,0.15,0.3,0.45,0.6,0.75)合金的电化学性能的影响.合金通过中频感应炉熔炼获得,用开口式三电极法测试其电化学性能,发现从整个趋势上看Cr替代Co恶化了贮氢合金的电化学性能,随着Cr的增加,容量降低,放电平台更差,但Cr的替代对活化速度基本没有影响,活化次数都为2次.当x=0.6时
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