基于碳纳米管的高转换效率无掺杂双极管

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tyxtry88
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  Conversion efficiency(CE)is the most important figure of merit for photodetectors.For carbon nanotubes(CNT)based photodetectors,the CE is mainly determined by excitons dissociation and transport of free carriers toward contacts.While phonon-assisted exciton dissociation mechanism is effective in splitgate CNT p-n diodes,the CE is typically low in these devices,approximately 1-5%.
其他文献
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外尔半金属材料中外尔节点附近的电子满足三维外尔方程,是具有手征性的外尔电子。与石墨烯材料中的二维狄拉克电子类似,Klein 隧穿使外尔电子能百分之百穿透台阶势垒。我们研究了量子阱或层状量子势垒结构中的外尔电子行为。能量高于半阱深的电子能够被量子阱捕获于其附近的限制态中。
太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种基于子带间电子跃迁的单极发光器件。在1 到5THz 频率范围内,THz QCL 是最有效的THz 辐射源。传统的THz QCL 器件的频谱一般是窄带分布。即使在高电流下,器件发射谱也不能均一覆盖连续的频率范围。
体相材料中的声子及其相互作用在固体物理、固体电子学、光电子、热输运、量子电子学等领域起着重要的作用。纳米结构中的声子对研究维度限制声子具有指导意义,并导致纳米结构中声子效应和声子工程。
During the last decade,tremendous research efforts have been focused on two-dimensional(2D)materials due to their rich physics and potentials for many important applications.Our group is now focusing
AlGaN 半导体材料的帯隙宽度可以从3.4eV 到6.2eV 连续可调,覆盖了从365 nm 到200 nm 的紫外波段,是制备紫外短波长发光和探测器件不可替代的材料体系.利用高Al 组份的AlGaN 材料制备的本征日盲紫外雪崩探测器可以省去昂贵的滤波片,而且它还具有低的工作电压、低功耗、更小的尺寸、易于集成等优点,因此有可能替代目前广泛使用的体积庞大并且易碎的光电倍增管.
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柔性显示器件是显示技术领域研究的热点,其关键技术之一是柔性薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)阵列的制备.氧化物半导体被认为是最有前景的TFT有源层材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT器件都需要采用热退火工艺来提高其性能,这对柔性衬底的热稳定性、耐温性提出了较高的要求,不利于柔性显示器件的大规模推广.本文采用脉冲直流磁控溅射在柔性PI衬底上室温沉积Al2O3/I
应力工程学已经被证实是一种调制半导体材料光学和电学特性的行之有效的方法,尤其是对半导体纳米材料,由于其晶体质量高,体表比大,具有很好的应力承受力,对新型应力功能器件的构建 具有指导意义。本工作依据应力工程学,研究了应力对单根 CdS 弯曲纳米带中辐射能量,激子动力学以及激射特性的调制作用[1]。
高电子迁移率的Ⅲ-Ⅴ族半导体有望取代硅,作为下一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道材料应用于超大规模集成电路上[1].目前技术上最大的难题之一就是如何提高Ⅲ-Ⅴ族半导体与高κ栅介质接触的界面质量.InAs作为Ⅲ-Ⅴ族半导体中电子迁移率最高的半导体之一,其空穴迁移率也很高,因此有望作为n与p型晶体管,作为互补型晶体管[2].