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以SiH4和H2为反应气源，建立了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜的气相反应模型，模拟了典型的μc-Si：H薄膜沉积条件下各物种的浓度以及硅烷浓度SC的影响。研究结果表明：与a-Si：H薄膜相似，μc-Si：H薄膜的主要沉积前驱物是SiH3基元，且Si2H5、Si2H4和SiH2等中性基元对μc-Si：H薄膜生长的也有一定贡献;随着硅烷浓度增大，等离子体中SiH3等前驱物的浓度升高，同时，H原子的浓度快速下降，从而使得H/SiH3比值降低。