美国军用电子元器件技术发展策略

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunuplee
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本文概述了美国电子元器件技术进展的现状及趋势,分析了美国军用电子元器件技术发展的策略,主要包括:重视顶层设计并构建军民一体军事技术开发链;实施专项计划快速推进关键技术发展;根据电子元器件技术与军用系统关联程度决定支持力度;“可信任代工服务”和可靠监管链确保核心知识产权;CALS解决元器件更新换代快而装备服役期长的矛盾;重视基础投资,政府投资与市场调节并举;国际合作制订技术路线图,国内联合研制新型元器件。文章还探讨了美国军用电子元器件技术发展对中国电子元器件技术发展的启示:1、整合资源,形成合力加快发展;2、促进共享,推进军民融合;3、政府履行主要职能,按照市场规律进行调节;4、利用电子信息技术的渗透性加速电子行业产业链的发展。
其他文献
预计到2009年,大部分移动终端系统都将配备各式各样的无线存取技术,用以处理多媒体信息。要为这种发展趋势作好准备,业界就必须从现在开始积极创新无线频射(RF)设计。 It is
  本文采用射频磁控溅射方法在Si (001)基片上和金刚石衬底上沉积了Zn0薄膜,研究了氢氧比和退火温度对Zn0薄膜微观结构及性能的影响,分析对比了Si基底和金刚石基底对Zn0薄膜
  200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法
  华虹NEC深沟槽刻蚀和填充超级结工艺技术的核心是完美的深沟槽刻蚀技术和深沟槽填充技术。满足700 V击穿电压要求的沟槽深度达到3540 Eun,考虑到P型和n型耗尽后微观的电荷
会议
  本文采用醇基阳极氧化介质成功地在Ti6A14V合金表面制备出大面积Ti-AI-V-0纳米管阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDXA)对纳米管阵列的表面形貌、微结构和热
会议
  本文通过对双面擦片工作原理及质量影响因素的分析,并对比两种不同的最终清洗方法,导出双面擦片在一定的条件下是一种可替代槽浸式最终清洗的有效方法。
有人说他太有激情,完全是性情中人;有人说他太过张扬,说出话生怕别人听不到;也有人说他过于好斗,不顾外交礼节,常给对手不留脸面;还有人说他原则性太强,谁碰就跟谁翻脸。但是人们公认的是,他有能力击败对手,胜得痛快,让中国人扬眉吐气。由此,“沙氏风格”的说法在西方外交界广为流传。  他就是新任联合国副秘书长沙祖康,曾任中国常驻日内瓦联合国和多边国际组织全权大使沙祖康。  沙祖康始终坚信一条:“从毛主席的
In recent years,deep learning has made tremendous achievements in computer vision,natural language pro-cessing,man-machine games and so on,where artificial inte
期刊
  对于含可动结构的MEMS器件,圆片级封装是解决划片和管壳封装时颗粒、水汽污染问题的重要解决途径。阳极键合具有工艺成熟,适合工程化生产,采用吸气剂技术可以长期维持键合腔
本文对2017年至2019年我国口岸截获的植物检疫性菌物进行统计,重点分析了不同寄主分布、检疫业务类型、来源国及口岸的菌物截获情况.分析结果表明,与2017年相比,2018年和2019