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论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.
1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
【摘 要】
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论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年3期
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