Au/NiO/SrTiO3/Pt存储单元的电阻开关特性研究

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ankang1991

【摘要】

：

由于器件的界面性质影响其电阻开关行为，而电形成过程的偏压极性、限制电流大小等参数设置可以改变界面性质，因此本工作中我们采用脉冲激光沉积技术在Pt金衬底上逐层沉积n-SrTiO3(STO)和p-NiO薄膜，选择Au为上电极，研究了电形成过程中不同参数设置对Au/NiO/STO/Pt存储单元的电阻开关特性的影响。

【作者】

：

孙献文张伟风

【机构】

：

河南省开封市河南大学物理与电子学院,光伏材料省重点实验室,475004

【出处】

：

中国物理学会2013年秋季学术会议

【发表日期】

：

2013年11期

【关键词】

：

电阻开关脉冲激光沉积 SrTiO3薄膜界面势垒

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