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由于器件的界面性质影响其电阻开关行为,而电形成过程的偏压极性、限制电流大小等参数设置可以改变界面性质,因此本工作中我们采用脉冲激光沉积技术在Pt金衬底上逐层沉积n-SrTiO3(STO)和p-NiO薄膜,选择Au为上电极,研究了电形成过程中不同参数设置对Au/NiO/STO/Pt存储单元的电阻开关特性的影响。