SrTiO3薄膜相关论文
SrTiO3 具有优良的介电特性，并且在一定的外作用下(如掺杂、应力等)呈现出铁电性.对其铁电和电学特性的调控将会在下一代氧化物电子......
由于器件的界面性质影响其电阻开关行为，而电形成过程的偏压极性、限制电流大小等参数设置可以改变界面性质，因此本工作中我们采用脉......
我们研究了激光的能量密度和沉积氧压对脉冲激光沉积的SrTiO3 薄膜化学计量比的影响.研究发现符合化学计量比的SrTiO3 薄膜具......
钛酸锶（SrTiO3）多孔薄膜因其大比表面积、低成本和可回收再利用等优势在光催化、吸附领域受到了广泛的关注,但目前仍存在对可见光利......
SrTiO3是一种典型的钙钛矿型结构材料,具有介电常数高、介质损耗低、良好的化学热稳定性和优异的绝缘性能,被广泛应用于微电子器件......
钙钛矿型的(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜，因为其相变温度可以根据不同器件特定的温度需要进行调节，在铁电材料中一直是研究的热点，特别是集成......
随着现代社会的发展，日益严峻的能源危机和环境问题迫使人们开发新的能量转换技术来解决这一问题。热电材料可以直接将热能转化为电......
紧密的 Al2O3薄膜是经过铝电极下的阳极化过程制造的，它作为溶胶凝胶法制得的SrTiO3薄膜电容器的一层绝缘层。与没有阳极化处理过的......
采用ISG工艺,在氧化铝陶瓷基片上合成SrTiO3陶瓷薄膜,研究了溶胶性能和溶胶-凝胶的晶化过程,分析了薄膜的形成及结构.结果表明,SrO......
采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,S......
利用氩离子束镀膜技术在SiO2 /Si衬底上淀积钛酸锶 (SrTiO3)膜 ,并制成平面型电阻器 .结果表明 :在实验温区 (2 8～ 150℃ )内 ,SrTi......
在激光分子束外延(LMBE)生长SrTiO3(STO)薄膜过程中,激光闪蒸出的Sr,Ti,O原子的微观反应过程及粒子形态是STO薄膜生长初期形成的关......
拥有众多优良性能的SrTiO3薄膜已经受到了人们的广泛关注。本文首先对SrTiO3薄膜的性质和应用进行了简单介绍，然后从物理和化学两大......
采用液相沉积技术,以氟钛酸铵、硼酸和硝酸锶为原料,在前驱液pH=3.5、沉积温度60℃,沉积时间6 h条件下成功制备了SrTiO3薄膜。采用......
采用溶胶-凝胶方法,以醋酸锶、钛酸四丁酯为前驱体,乙酰丙酮为螯合剂,乙二醇甲醚为溶剂,乙酸为助溶剂和催化剂制备溶胶,用旋涂法在......
以Sr（OOCCH3）2· H2O,Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方......
利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研......
以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４，ＳｒＣｌ３·６Ｈ２Ｏ为主要原料，采用溶胶－凝胶法制备了ＳｒＴｉＯ３和掺铁ＳｒＴｉＯ３薄膜。通过电镜和Ｘ衍射分析了薄膜的结构，并分别比较了烧成温度和掺杂对钛酸锶氧敏性......
研究了一种新型高效制备多组分陶瓷薄膜的方法，它采用可溶性无机盐溶液雾化为反应膜，利用微波等离子体化学气相沉积工艺在Al2O3基片......
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3／Ta2O5复合介电层，获得在500Hz下介电常数为48～73，反映介电损耗的参数△......
在Si（111）基片上采用脉冲激光沉积（PLD）方法,烘烤温度300℃,制备得到非晶态SrTiO3薄膜。采用快速晶化处理,将非晶态SrTiO3薄膜在不同温......
利用背激发检测光声技术测量了8个不同厚度SrTiO3薄膜的热扩散率，研究光声信号的幅值、相位及薄膜热扩散率随膜厚的变化规律发现，随......
在超高真空下利用激光分子束外延(LMBE)方法基于SrTiO3(100)单晶基片同质外延SrTiO3薄膜.通过反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过......
采用水热法技术于250℃条件下直接在金属钛片上制备了钙钛矿结构的SrTiO3晶态薄膜，讨论了温度对薄膜形成的影响．采用X射线衍射(XRD)......
对比研究了MgO和LaAlO3（LAO）单晶基片上采用脉冲激光法生长的SrTiO3（STO）薄膜的微观结构和介电性能，通过XRD，AFM和制备又指电容测量的方......
为制备具有电容和压敏特性的ＳｒＴｉＯ３双功能器件，以Ｓｒ（ＮＯ３）２，Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为原料，用溶胶－凝胶方法制备ＳｒＴｉＯ３材料，研究了水和醋酸等对ＳｒＴｉＯ３材料的影响机理，并对其进行Ｘ－射线衍射、红......
纳米SrTiO3具有很广泛的用途,其电泳沉积工艺低成本、易操作,可广泛应用于实验室研究。该文从粉体浓度、碘浓度、沉积电压、沉积时......
随着半导体技术的发展,Si基体上生长的高介电常数的钙钛矿晶体氧化物薄膜如SrTiO3(STO)也受到了广泛关注.SrTiO3(a=0.3905nm)在沿S......
用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶......
采用脉冲激光沉积法(PLD)制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构.通过对SrTiO3薄......
近年来,由于电子器件的微型化和高集成度,功能陶瓷薄膜的制备越来越受到重视。电路当中的大电流现象例如浪涌电压常常导致器件产生......
阻变存储(RRAM)以其在存储密度和存储速度上的独特优势,被认为是颇具潜力的下一代非易失性存储技术。然而阻变的微观机制一直不明......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在MgO/TiN/Si（100）衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3（x=0、0.1、0.2）薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3（STO）缓......
